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賓夕法尼亞、MALVERN —2013年9月5日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間及提高效率而設計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅(qū)動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
對于電源管理中的負載和電池開關，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、硬盤驅(qū)動器和固態(tài)驅(qū)動的同步降壓轉(zhuǎn)換應用里的控制開關，-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5m?(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的涌入電流，可用于負載開關。
器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命，同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節(jié)省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用，MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉(zhuǎn)換電路或“自舉”器件，簡化了柵極驅(qū)動的設計。SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。器件規(guī)格表：
編號
VDS (V)
VGS (V)
RDS(ON) (m?) @
−10 V
−4.5 V
−2.5 V
−1.8 V
−1.5 V
SiA467EDJ
-12
8
-
13
19.5
40
-
SiA437DJ
-20
8
-
14.5
20.5
33.0
65.0
SiA449DJ
-30
12
20
24
38
-
-
SiA483DJ
-30
20
21
30
-
-
-
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
