IGBT 模塊，Vishay

Vishay 的高效 IGBT 模塊隨附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術(shù)選項(xiàng)。 該系列包括單開(kāi)關(guān)、逆變器、斬波器、半橋或采用自定義配置。 這些 IGBT 模塊設(shè)計(jì)用于在開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源、工業(yè)焊接、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率因數(shù)校正系統(tǒng)中作為主切換設(shè)備。 

典型應(yīng)用包括：升壓和降壓轉(zhuǎn)換器、正向和雙正向轉(zhuǎn)換器、半橋、全橋接（H 橋）和三相橋接。

廣泛的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類(lèi)型 
直接安裝在散熱器上 
可選擇 PT、NPT 和 Trench IGBT 技術(shù) 
低 VCE（開(kāi)）IGBT 
切換頻率從 1 kHz 到 150 kHz
堅(jiān)固的瞬時(shí)性能
高隔離電壓高達(dá) 3500 V
100 % 不含鉛 (Pb) 且符合 RoHS
低熱阻 
廣泛的工作溫度范圍（-40 °C 至 +175 °C）

IGBT 模塊，Vishay

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。