多德半導(dǎo)體繼電器-接觸器/金

	隨時可以使用的產(chǎn)品，容易安裝： 卡上的線。
	使用壽命長
	使用壽命長 靜音開關(guān) 感謝使用半導(dǎo)體，而不是機電接觸
	優(yōu)良的電磁兼容性能 由于零電壓開關(guān)
	創(chuàng)新技術(shù) DCB技術(shù)優(yōu)化散熱

	低空間需求 由于設(shè)計緊湊，可分別可達3觸發(fā)固態(tài)接觸器在一個單一的住房
	客戶特定的解決方案和特殊用途的變種 例如精細(xì)調(diào)節(jié)負(fù)載電路監(jiān)測或為筒式加熱器等加熱設(shè)備溫度控制器的點射控制模擬輸入
	適用于高開關(guān)頻率
	Low trigger目前的 只有5毫安
	粗糙的環(huán)境條件
	High I²t 因此，沒有額外的固態(tài)保險絲需要

• DCB代表直接銅接合。用這種方法，半導(dǎo)體元件直接應(yīng)用到一個具體的陶瓷基板（鋁粉陶瓷或氮化鋁），這是鍍銅。

• 陶瓷具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性和電絕緣性，以半導(dǎo)體繼電器的底部。這將確保在半導(dǎo)體繼電器產(chǎn)生的熱量是*佳的散熱環(huán)境（散熱器，頂帽軌）。這是特定相關(guān)的溫度關(guān)鍵應(yīng)用。它減輕了半導(dǎo)體的壓力，并給它一個更長的使用壽命。

 

• 散熱是一方面通過DCB技術(shù)，另一方面保證了熱沉。保持半導(dǎo)體低于120°C適當(dāng)尺寸的散熱片是用的容許值的勢壘結(jié)溫。一種在繼電器底部和散熱器之間的傳熱復(fù)合物，另外優(yōu)化了散熱。

• Dold半導(dǎo)體接觸器都配備了一個集成的溫度監(jiān)測。它切斷了功率半導(dǎo)體器件，當(dāng)達到某一溫度并激活信號輸出，可與閉鎖性能。我們的半導(dǎo)體繼電器也可以配備熱斷路器。它可以插入到半導(dǎo)體繼電器的底部的提供的口袋里，當(dāng)一個定義的散熱器溫度達到時打開負(fù)載電路。我們的數(shù)據(jù)表，包括適當(dāng)?shù)谋碓谀抢锬憧梢赃x擇一個適合的散熱器。

• 在金屬氧化物壓敏電阻形成一個內(nèi)置過壓保護器。當(dāng)一個連續(xù)的電壓峰值電阻變低幾乎沒有任何延遲和電荷是可靠地排出。這是保護電力設(shè)備免受損壞semidconductor高效和具有成本效益的方式。

• 可控硅主要是設(shè)備與反并聯(lián)晶閘管的兩。然而，相比一個雙向可控硅晶閘管需要兩離散導(dǎo)體的截面積，提高了散熱。晶閘管也顯示了更好的性能時，對斷態(tài)電壓臨界上升[ du/dt ]動態(tài)速率、電流上升率di/dt ] [我²T值²[我]。這就是為什么金晶閘管半導(dǎo)體繼電器適用于各種苛刻的應(yīng)用。

• 所有標(biāo)準(zhǔn)Dold半導(dǎo)體繼電器和接觸器設(shè)計為零電壓開關(guān)。當(dāng)控制電壓被施加時，半導(dǎo)體繼電器的開關(guān)在系統(tǒng)的正弦交流電壓的過零中。這*大限度地減少電磁干擾。這種方式也開始與PTC熱敏電阻的歐姆負(fù)載電流被限制的行為。

• To protect thyristor circuits against short-circuit currents they must be protected by a very quick acting fuse. The I²t value defines the allowed heat load caused by a short-circuit on the semiconductor element. Therefore the I²t value of the fuse must be lower than the I²t value of the semiconductor element to be able to protect the thyristor circuit efficiently. Thanks to a specific design of the power semiconductor devices some Semiconductor contacts do without a very quick acting fuse. A normal miniature circuit breaker is then enough.