【LED新品】科銳推出低基面位錯(cuò)4H碳化硅外延片

領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1cm-2。這一新型低基面位錯(cuò)材料的推出進(jìn)一步體現(xiàn)了科銳長期以來對(duì)碳化硅材料技術(shù)的不斷投入和創(chuàng)新。

、功率器件和通訊器件產(chǎn)品的生產(chǎn)中，包括發(fā)光二級(jí)管（LED）、功率轉(zhuǎn)換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。

解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者�？其JLED照明產(chǎn)品的優(yōu)勢體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨(dú)一無二的材料技術(shù)與先進(jìn)的白光技術(shù)，擁有1,300多項(xiàng)美國專*、2,900多項(xiàng)國際專*和近390項(xiàng)中國專*（以上包括已授權(quán)和在審專*），使得科銳LED產(chǎn)品始終處于世界領(lǐng)先水平�？其J照明級(jí)大功率LED，具有光效高、色點(diǎn)穩(wěn)、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。科銳在向客戶提供高質(zhì)量、高可靠發(fā)光器件產(chǎn)品的同時(shí)也向客戶提供成套的LED照明解決方案�？其J碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管開關(guān)器件（MOSFETSwitch）的導(dǎo)通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn)、漏電流低、開關(guān)時(shí)間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向恢復(fù)電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。