國家半導(dǎo)體照明工程十年成就斐然

今年是我國啟動“半導(dǎo)體照明工程”十周年。近日，中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任李晉閩向《中國科學(xué)報》記者介紹說，我國在基于GaN基LED的白光照明技術(shù)方面已取得突飛猛進的發(fā)展。在350毫安的工作電流下，白光LED的發(fā)光效率從2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。

據(jù)了解，半導(dǎo)體照明的能源消耗只有普通白熾燈的1/10，但其壽命可達10萬小時以上。據(jù)估算，如果半導(dǎo)體照明能占領(lǐng)我國1/3的照明市場，每年可節(jié)電2000億度，相當(dāng)于兩個多三峽電站的發(fā)電量。

2003年，在時任半導(dǎo)體所所長李晉閩的建議下，科技部經(jīng)過深入調(diào)研和組織，正式啟動“國家半導(dǎo)體照明工程”。2004年，數(shù)十家企業(yè)和科研單位聯(lián)合開展半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。2006年，經(jīng)過兩年的籌備后，中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心正式成立。

李晉閩介紹說，中心在深紫外LED研究方面結(jié)出了累累碩果。2008年，中心成功制備國內(nèi)首支發(fā)光波長在300納米以下的深紫外LED器件，實現(xiàn)了器件的毫瓦級功率輸出。“十二五”以來，在“863”項目支持下，由中科院半導(dǎo)體所牽頭、國內(nèi)優(yōu)勢單位參與，目前已成功將深紫外LED的輸出功率提高到接近4毫瓦（20毫安電流下）。

同時，研發(fā)中心在LED產(chǎn)業(yè)的核心——MOCVD裝備核心技術(shù)開發(fā)方面進展順利，初步研制出48片生產(chǎn)型MOCVD設(shè)備，為實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化開創(chuàng)了良好局面；研發(fā)出HVPE生長系統(tǒng)，并在推廣型立式HVPE系統(tǒng)上開發(fā)出HVPEGaN自支撐襯底的生長技術(shù)。

在推動高科技成果轉(zhuǎn)化方面，中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心也成就斐然。在與中心進行技術(shù)合作的兩大企業(yè)中，中材集團入股的揚州中科半導(dǎo)體照明有限公司和另一家湖南企業(yè)的生產(chǎn)規(guī)模均進入國內(nèi)前五強，銷售額達到十幾個億。

“下一步，我們將加大研發(fā)力度，加快推動LED產(chǎn)業(yè)核心生產(chǎn)設(shè)備的國產(chǎn)化，爭取搶占半導(dǎo)體照明產(chǎn)品技術(shù)、標(biāo)準的制高點。”李晉閩表示。