英飛凌推出用于光伏發(fā)電逆變器等的耐壓1200V的SiC型FET

　　德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術(shù)展會“PCIM Europe 2012”上宣布投產(chǎn)。盡管該公司此前向市場投放過使用SiC材料的肖特基勢壘二極管，但此次是首次實現(xiàn)SiC制結(jié)型FET的產(chǎn)品化。SiC型FET將與專用驅(qū)動IC組合銷售，2012年第二季度開始樣品供貨。

　　新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因為新產(chǎn)品可實現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關(guān)損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個裝置的小型輕量化。

　　CoolSiC產(chǎn)品群備有導通電阻及封裝方式不同的6款產(chǎn)品。分別為導通電阻為35mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R035T1”，導通電阻為50mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R050T1”，導通電阻為70mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R070T1”、導通電阻為100mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R100T1”，導通電阻為70mΩ的裸芯片“IJC120R070T1”，以及導通電阻為100mΩ的裸芯片“IJC120R100T1”。價格方面，以IJW120R100T1為例，批量購買1000個時美國市場的參考單價預定為24.90美元。