TriQuint推出新型高性能GaAs射頻驅(qū)動(dòng)放大器

~采用新型封裝、具備先進(jìn)功能并支持50-1500 MHz帶寬~

　　2012年9月6 日，中國(guó) 上海 -- 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司，推出兩款采用新封裝的1W和2W砷化鎵 (GaAs) 射頻驅(qū)動(dòng)放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106，它們?cè)贑DMA、WCDMA和LTE基站或類似應(yīng)用中能夠提供一流的線性度、低功耗和先進(jìn)的保護(hù)功能。這些高性能放大器具有極寬工作帶寬并且非常堅(jiān)固，在操作范圍50到1500 MHz之間提供高性能。

　　TQP7M9105和TQP7M9106 是不斷發(fā)展壯大的TriQuint 第三代5V線性驅(qū)動(dòng)放大器產(chǎn)品系列的最新成員。除了在蜂窩收發(fā)基站 (BTS) 應(yīng)用中的卓越性能以外，它們同樣非常適用于遠(yuǎn)程無(wú)線電頭端 (RRH) 和小蜂窩基站的射頻設(shè)計(jì)。

　　TQP7M9105提供1W（+30 dBm）的P1dB射頻輸出功率，增益為19.4 dB，輸出三階交調(diào)截取點(diǎn)（OIP3）為達(dá)到同類產(chǎn)品最高線性度的49 dBm，在+5 V電壓下耗電僅為220 mA。TQP7M9106提供2W（+33 dBm）的P1dB射頻輸出功率，增益為20.8 dB， 輸出三階交調(diào)截取點(diǎn)為大于競(jìng)爭(zhēng)器件的50dBm，在+5 V電壓下耗電僅455 mA。這兩款器件都集成了片上電路，這使它們能夠達(dá)到工作模式為 A類但效率為 AB類的放大器的典型線性度。

　　另外這兩種產(chǎn)品還具有出色的耐電強(qiáng)度，能夠處理它們經(jīng)常會(huì)遇到的"超出規(guī)范的"工作條件。例如，它們能夠提供射頻輸入過(guò)載保護(hù)和直流過(guò)壓保護(hù)。此外，它們的片上靜電放電 (ESD) 保護(hù)使它們能夠滿足嚴(yán)格的 1C類 HBM規(guī)范要求，這使它們能夠經(jīng)受通常會(huì)在正常制造環(huán)境中遇到的大部分雜散電壓。這兩種產(chǎn)品采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛SOT-89 (TQP7M9105) 封裝和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面貼裝封裝。

　　技術(shù)細(xì)節(jié)：

　　新TQP7M9105和TQP7M9106驅(qū)動(dòng)放大器現(xiàn)已量產(chǎn)并供應(yīng)完整組裝的評(píng)估夾具。欲了解產(chǎn)品細(xì)節(jié)請(qǐng)聯(lián)系TriQuint，欲聯(lián)系銷售代表或分銷商，請(qǐng)登錄http://cn.triquint.com/sales。