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恩智浦推出全球首款采用2mmx2mm無(wú)引腳封裝的低VCEsat雙晶體管

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來(lái)源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):32
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網(wǎng)2013年3月25日訊:恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品,具有低飽和電壓特性,采用2mmx2mmDFN(分立式扁平無(wú)引腳)封裝。15種采用無(wú)引腳、薄型DFN2020-6(SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市,它們的集電極電壓(VCEO)為30V、60V和120V(PBSS4112PAN)。

  這些超小型雙晶體管的集電極電流(IC)最大值可達(dá)2A,能夠處理高達(dá)3A的峰值電流。同時(shí),它們的效率極高,具有低至60mV的超低飽和電壓(PBSS4230PANP),使其針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用具有更低的功耗和更長(zhǎng)的電池壽命。采用DFN2020-6封裝的全新雙晶體管非常適合用于負(fù)載和電源開(kāi)關(guān)、智能手機(jī)和平板電腦等便攜式應(yīng)用中的電源管理和充電電路、背光裝置以及其他空間受限型應(yīng)用。恩智浦采用DFN2020封裝的所有全新低VCEsat雙晶體管產(chǎn)品均符合AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)。

  DFN2020-6比標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝小8倍,具有出色的熱功耗能力(Ptot=1W)。具有熱沉的DFN封裝僅0.6mm高,因此可替代SO8或SOT457等許多尺寸較大的晶體管封裝。

  全新的DFN2020封裝類產(chǎn)品豐富了恩智浦的低VCEsat晶體管產(chǎn)品組合,目前已包括36款采用無(wú)引腳和標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝的雙晶體管,以及250多種高達(dá)500V和7A的單晶體管。

  恩智浦采用DFN2020-6封裝的全新低VCEsat雙晶體管:http://www.nxp.com/group/10921

  集電極電壓最高的全新產(chǎn)品(PBSS4112PAN,120V,1ANPN/NPN):http://www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN

  飽和電壓最低的全新產(chǎn)品(PBSS4230PANP,30V,2ANPN/PNP,VCEsat:60mV):http://www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP

  DFN2020-6(SOT1118)封裝信息頁(yè)面:http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html

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