臺積電16nm年底試產(chǎn) 晶圓代工業(yè)競爭激化

　　在賽靈思的協(xié)力合作下，臺積電年底可開始進行16納米試產(chǎn)，成功將20納米微縮至16納米的時間提前一年，2015年就會如期進入16納米FinFET量產(chǎn)。如此緊迫的腳步勢必會對代工業(yè)界產(chǎn)生極大推動。

　　臺積電8月13日通過573.65億元資本支出，連同上次核準金額，合計為2033.65億元，約占臺積電全年資本支出上限100億美元的68%，表明臺積電加速先進制程腳步的決心。

　　臺積電將今年資本支出上修至95至100億美元（約新臺幣2990億），只少許落后英特爾的110億美元，是臺灣投資計劃最大的電子大廠。臺積電加緊20納米及16納米先進制程量產(chǎn)及試產(chǎn)時程，添購所需設(shè)備，推估今年臺積電全年資本支出，絕對會在上限100億美元，而且明年也可能與今年相近。

　　10月3日對媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進完整布局；臺積電發(fā)言人孫又文表示，臺積電16nm年底試產(chǎn)進度領(lǐng)先競爭對手，而超超大晶圓14廠去年貢獻比已36%，南科廠區(qū)全部貢獻占比則42%。據(jù)臺積電指出，14廠P1至4期的營業(yè)額已在2012年占臺積電營業(yè)額達到36%。而南科廠區(qū)全部貢獻占比42%。臺積電14廠P1至P4是4個足球場大面積；而外界關(guān)注未來臺積電20/16nm產(chǎn)出后，14廠的營收貢獻比重。

　　臺積電發(fā)言人孫又文回應(yīng)提問表示，臺積電16nm是20nm制程的延伸，20nm明年第一季量產(chǎn)，而16nm今年底試產(chǎn)進度領(lǐng)先競爭對手，而隨著超超大晶圓14廠P5/6、15廠等加入后，未來貢獻比重仍將仍將升高。

　　據(jù)了解，由于臺積電P5至P6產(chǎn)能規(guī)劃“只做20/16nm”，三星與英特爾、格羅方德、設(shè)備商等各界關(guān)注，因此臺積電尚屬商業(yè)機密而處于保密中尚無可說明細節(jié)。臺積電超大晶圓14廠P5所規(guī)劃辦公室可容納3000位員工，目標在明年到位，同時P6工程在建，平常約有萬名工作員建廠協(xié)助。

　　臺積電不斷強調(diào)“大聯(lián)盟”(Grand Alliance)的服務(wù)模式和不斷投入大量資金用于先進的制程無疑對半導體代工產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀帶來更多生機，不斷的投入使得其與英特爾的技術(shù)差距縮短到一年以內(nèi)，這將使得以后的晶圓代工業(yè)務(wù)競爭更加激烈。