安森美半導(dǎo)體與Transphorm合作提供領(lǐng)先業(yè)界能效的基于氮化鎵(GaN)的電源系統(tǒng)方案

2014年9月26日–推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)與功率轉(zhuǎn)換專(zhuān)家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。

這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實(shí)力。Transphorm是公認(rèn)的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產(chǎn)通過(guò)授證的公司，并在這先進(jìn)技術(shù)有無(wú)與倫比的經(jīng)驗(yàn)。安森美半導(dǎo)體是一家領(lǐng)先的高能效電源方案供應(yīng)商，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)具備深厚的專(zhuān)知和技術(shù)，提供寬廣的陣容產(chǎn)品，從功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器到全定制專(zhuān)用集成電路(ASIC)電源管理方案。

GaN在電源應(yīng)用已證明能提供優(yōu)于硅基器件的重要性能優(yōu)勢(shì)。安森美半導(dǎo)體和Transphorm合作開(kāi)發(fā)的新世代封裝產(chǎn)品將提供可靠及授證的方案，令工程師實(shí)現(xiàn)前所未有的高能效和功率密度水平。

安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理賀彥彬(BillHall)說(shuō)：“安森美半導(dǎo)體充分認(rèn)識(shí)到GaN技術(shù)可帶給功率電子市場(chǎng)的固有優(yōu)勢(shì)，我們非常高興與這領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)袖合作，此外我們也有自己的GaN開(kāi)發(fā)工作。這項(xiàng)新的重要合作，在策略上結(jié)合了我們可觀的電源系統(tǒng)方案實(shí)力及Transphorm的GaN專(zhuān)知和技術(shù)。我們的合作能夠增強(qiáng)客戶對(duì)此新技術(shù)的信心，及加速它廣泛的市場(chǎng)采納。”

Transphorm首席執(zhí)行官(CEO)FumihideEsaka說(shuō)：“跟像安森美半導(dǎo)體這樣的領(lǐng)先電源半導(dǎo)體公司合作，確認(rèn)了Transphorm在GaN的領(lǐng)先地位，將為我們客戶提供更寬廣的基于GaN的產(chǎn)品及方案。我們的合作不僅對(duì)加快GaN的市場(chǎng)滲透具有重要作用，還對(duì)整個(gè)電源轉(zhuǎn)換行業(yè)富有意義。”

首批共同開(kāi)發(fā)的基于600VGaN晶體管方案預(yù)計(jì)將于2014年底前開(kāi)始提供樣品。這些方案將用于200W至1000W功率范圍的高功率密度應(yīng)用，用于電信及服務(wù)器市場(chǎng)的緊湊型電源。根據(jù)合作條款，共同開(kāi)發(fā)的封裝晶體管產(chǎn)品將包括安森美半導(dǎo)體的用于共源共柵(cascoded)開(kāi)關(guān)的低壓MOSFET硅片，及Transphorm的獲得證明的GaN高壓高電子遷移率晶體管(HEMT)。這些器件將在安森美半導(dǎo)體的制造廠聯(lián)合封裝、組裝及測(cè)試。

電源系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)將提供給客戶，使他們能夠應(yīng)用包含GaN晶體管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。