國(guó)內(nèi)高壓大功率IGBT芯片技術(shù)取得重大突破

　　該項(xiàng)目在芯片設(shè)計(jì)、芯片工藝和芯片封裝測(cè)試、試驗(yàn)及應(yīng)用考核方面符合國(guó)際最新的產(chǎn)品技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，適應(yīng)國(guó)內(nèi)軌道交通復(fù)雜的運(yùn)營(yíng)環(huán)境要求，現(xiàn)場(chǎng)裝車(chē)運(yùn)營(yíng)表現(xiàn)優(yōu)異，代表軌道交通用該電壓等級(jí)IGBT器件技術(shù)的最高水平，大大縮短了中國(guó)高壓IGBT芯片技術(shù)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，為真正構(gòu)建IGBT芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)重大民族裝備自主掌握，突破了關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，具有良好的市場(chǎng)前景和應(yīng)用價(jià)值。

　　株洲南車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司副總經(jīng)理、總工劉可安介紹，由于中國(guó)IGBT器件技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較晚，加之技術(shù)門(mén)檻難度之高、投入之大，目前中國(guó)市場(chǎng)的IGBT產(chǎn)品基本依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)有數(shù)家從事中小功率IGBT產(chǎn)品組裝企業(yè)，且未形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模，在大功率IGBT模塊封裝技術(shù)上，也只有包括中國(guó)南車(chē)在內(nèi)的少數(shù)企業(yè)所掌握，而在高壓IGBT芯片技術(shù)及后期系統(tǒng)運(yùn)用上，國(guó)內(nèi)僅有中國(guó)南車(chē)獨(dú)家掌握。

　　據(jù)了解，近年來(lái)，中國(guó)南車(chē)通過(guò)收購(gòu)英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司、在英國(guó)成立功率半導(dǎo)體海外研發(fā)中心、建立國(guó)內(nèi)第一條IGBT模塊封裝線和國(guó)內(nèi)第一條8英寸的IGBT芯片生產(chǎn)基地等舉措，在國(guó)家“高壓IGBT元件研制”等重大專項(xiàng)政策支持下，掌握電壓等級(jí)從1200伏到6500伏不等的5種IGBT芯片及模塊封裝、測(cè)試、應(yīng)用技術(shù)，并已成功在國(guó)內(nèi)城市軌道車(chē)輛、大功率交流傳動(dòng)電力機(jī)車(chē)上實(shí)現(xiàn)裝車(chē)運(yùn)營(yíng)。

　　當(dāng)天，經(jīng)過(guò)認(rèn)真的研究、談?wù)�，鑒定委員會(huì)一致認(rèn)為，該項(xiàng)目成果達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)3300V等級(jí)IGBT芯片的突破，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高壓大功率IGBT芯片技術(shù)的空白，并已在軌道交通領(lǐng)域批量應(yīng)用，同意通過(guò)科技成果鑒定。同時(shí)，鑒定委員會(huì)建議盡快形成系列化產(chǎn)品，并推廣應(yīng)用到其他領(lǐng)域。

　　據(jù)介紹，作為軌道交通牽引主流器件，3300伏等級(jí)的IGBT器件在大功率電力機(jī)車(chē)、城市軌道交通領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，預(yù)計(jì)未來(lái)十年中國(guó)軌道交通牽引市場(chǎng)每年對(duì)3300伏等級(jí)的IGBT模塊需求量為10到20萬(wàn)只/年，市場(chǎng)前景非常可觀。