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中國(guó)電科搶占碳化硅材料與器件制造設(shè)備市場(chǎng)先機(jī)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-22     來(lái)源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):87
核心提示:
       近日,由中國(guó)電子科技集團(tuán)48所、2所、55所共同申請(qǐng)的國(guó)家科技部“863”前沿技術(shù)項(xiàng)目已獲批,該項(xiàng)目的主要目的是為高壓碳化硅電力電子器件的制造提供關(guān)鍵設(shè)備和工藝,其中包括4-6寸碳化硅單晶生長(zhǎng)爐、碳化硅外延生長(zhǎng)爐和碳化硅高溫高能離子注入機(jī)的研發(fā)。

  當(dāng)前正值我國(guó)大力開(kāi)展科技創(chuàng)新推動(dòng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的新時(shí)期,碳化硅制造設(shè)備已被列入國(guó)家《新材料產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》重點(diǎn)產(chǎn)品目錄,碳化硅材料和器件的科研也已納入電力電子行業(yè)“十二五”規(guī)劃。項(xiàng)目獲批,對(duì)中國(guó)電科搶占SiC裝備市場(chǎng)的先機(jī)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 
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