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幾種特殊的可控硅及應用

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):112
核心提示:

快速可控硅
  普通可控硅不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間,同時陽極電壓上升速度太快時,會使元件誤導通;陽極電流上升速度太快時,會燒毀元件。人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施,做出了能適應于高頻應用的可控硅,我們將它稱為快速可控硅。它具有以下幾個特點。
一、關斷時間(toff)短
  導通的可控硅,當切斷正向電流時。并不能馬上“關斷”,這時如立即加上正向電壓,它還會繼續(xù)導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間,叫做關斷時間。用t0仟表示。
  可控硅的關斷過程,實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,制造快速可控硅時采用了摻金工藝,把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多,t0仟越小,但摻金量過多會影響元件的其它性能。
二、導通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)
  控制極觸發(fā)導通的可控硅?偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導通,然后逐漸向外擴展,直到整個面積導通。大面積的可控硅需要50~1O0微秒以上才能全面積導通。初始導通面積小時,必須限制初始電流的上升速度,否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象,影響元件的性能,甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴重。為此,仿造了集成電路的方法,在可控硅同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小可控硅?刂茦O觸發(fā)小可控硅后,小可控硅的初始導通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主可控硅陰極,觸發(fā)主可控硅。從而實際強觸發(fā),加速了元件的導通,提高了耐電流上升率的能力。
三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)
  可控硅是由三個P—N結組成的。每個結相當于一個電容器。結電壓急劇變化時,就有很大的位移電流流過元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用。可能使可控硅誤導通。這就是普通可控硅不能耐高電壓上升率的原因。
  為了有效防止上述誤導通現(xiàn)象發(fā)生,快速可控硅采取了短路發(fā)射結結構。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來,即使電壓上升率較高,可控硅的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,不致使可控硅誤導通。只是在電壓上升率進一步提高,結電容位移電流進一步增大,在短路點上產(chǎn)生電壓降足夠大時,可控硅才能導通。
  具有短路發(fā)射結結構的可控硅,用控制極電流觸發(fā)時。控制極電流首先也是從短路點流向陰極。只是當控制極電流足夠大,在短路點電阻上的電壓降足夠大,PN結正偏導通電流時,才同沒有短路發(fā)射結的元件一樣,可被觸發(fā)導通。因此,快速可控硅的抗干擾能力較好。
快  速可控硅的生產(chǎn)和應用都進展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,關斷時間僅為20微妙的大功率快速可控硅,同時還做出了最高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產(chǎn)品廣泛應用于大功率直流開關、大功率中頻感應加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領域。
逆導可控硅
以  往的城市電車和地鐵機車為了便于調(diào)速采用直流供電,用直流開關動作增加或減小電路電阻,改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動和加速。開關體積大、壽命短,而且低速運行時耗電大(減速時消耗在啟動電阻上)等缺點。自有了逆導可控硅,采用了逆導可控硅控制、調(diào)節(jié)車速,不僅克服了上述缺點,而且還降低了功耗,提高了機車可靠性。
  逆導可控硅是在普通可控硅上反向并聯(lián)一只二極管而成(同做在一個硅片上。它的等效電路和符號如圖1所示。它的特點是能反向導通大電流。由于它的陽極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管,可對電感負載關斷時產(chǎn)生的大電流、高電壓進行快速釋放。


  目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達到1500~2500V正向電流達400A。吸收電流達150A,關斷時間小于30微秒的逆導可控硅。
可關斷可控硅
  普通可控硅一旦導通后,控制極就失去了作用,不能控制可控硅的關斷。可關斷可控硅是一種利用正控制極脈沖可觸發(fā)導通,用負控制極脈沖可關斷陽極電流;謴妥钄酄顟B(tài)的器件。因此。用一只可關斷可控硅。就可做成直流無觸點開關或斬波器,它的結構、符號如圖2所示。

  可關斷可控硅用正控制極脈沖觸發(fā)導通的過程與普通可控硅完全一樣。元件導通以后,如果控制極加上足夠大的負脈沖,陽極電流會全部被拉到控制極流出。
  P2-N2結無導通電流。這時。整個元件猶如一個電流消失后的截止晶體管P1N1P2。這就是可關控硅用負控制極脈沖關斷的基本原理?申P斷可控硅的關斷速度,比普通可控硅快以在較高的頻率下工作。但它也具有不易制成大元件等缺點。主要應用于高壓直流開關、發(fā)動機裝置、高壓脈沖發(fā)生器、過電流保護電路等方面。
雙向可控硅
  雙向可控硅最主要的特性是,不論端1接正、端接負。還是端1接負、端2接正。都可以用對于端2為正或負的控制極脈沖觸發(fā)導通,也就是可以用正或負的控制極脈沖控制兩個方向的導通。
  有一點需要特別說明的是,雙向可控硅元件在交流回路中。導通側內(nèi)儲存的載流子會擴散到另一側,它的作用好像給阻斷的那一側加了控制極電流,可能使元件自動導通而失控。導通側電流下降越快,或阻斷側電壓上升越迅速,這種誤導通現(xiàn)象越嚴重。這方面的性能比兩個可控硅反并聯(lián)的電路差。應用時應注意。
  雙向可控硅主要應用于交流控制電路。如溫度控制、燈光調(diào)節(jié)、防爆交流開關以及直流電機調(diào)速和換向等電路。

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