NVE隔離技術(shù)在低壓電器行業(yè)應(yīng)用

　　一 行業(yè)現(xiàn)狀

　　繼美國(guó)之后，我國(guó)也將智能電網(wǎng)的發(fā)展提到戰(zhàn)略的層面。智能電網(wǎng)要求從發(fā)電、輸電到配電的整個(gè)電網(wǎng)，包括系統(tǒng)和元器件可靠、安全，能夠保證供電的連續(xù)性、安全性，低壓電器為了適應(yīng)智能電網(wǎng)的應(yīng)用，提高低壓配電與控制系統(tǒng)運(yùn)行可靠性以及自動(dòng)化程度，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)化是發(fā)展的必然方向。一旦系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)化，低壓電器必須具有雙向通信功能，經(jīng)通信適配器能與各種現(xiàn)場(chǎng)總線系統(tǒng)連接。工業(yè)以太網(wǎng)技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用，使配電系統(tǒng)通信網(wǎng)絡(luò)變得更簡(jiǎn)潔、更高效。同時(shí)，低壓電器必須具有更高的動(dòng)作可靠性和承受環(huán)境變化帶來的影響。

　　由于低壓電器所處的工作環(huán)境非常惡劣（如強(qiáng)磁場(chǎng)，電磁輻射，瞬態(tài)干擾脈沖，溫度），低壓電器通信的可靠性受到挑戰(zhàn)；為了保證通信的準(zhǔn)確可靠和系統(tǒng)穩(wěn)定，通常會(huì)選用一些隔離器件將通訊數(shù)據(jù)在接口上實(shí)現(xiàn)電氣隔離，提高低壓電器工作的可靠性。

　　二 隔離技術(shù)

　　當(dāng)前的隔離技術(shù)主要有：變壓器、光耦合器、iCoupler隔離器、電容隔離以及GMR隔離器，都提供電流隔離的典型方法，它們能阻斷不共地兩點(diǎn)之間的電流，同時(shí)允許數(shù)據(jù)順利通過。所謂“隔離”是用來保護(hù)設(shè)備以防由電源浪涌或接地環(huán)路引起的高電壓或電流而造成設(shè)備損壞或工作失常。如果不采用隔離，上述電流會(huì)引入噪聲，降低數(shù)據(jù)傳輸可靠性，甚至?xí)�毀壞系統(tǒng)元件。

　　1. 光耦合器

　　光耦合器是應(yīng)用范圍較廣的產(chǎn)品，它以光為媒介傳輸電信號(hào)，對(duì)輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用，一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管（LED），使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光，被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流，再經(jīng)過進(jìn)一步放大后輸出。這就完成了電—光—電的轉(zhuǎn)換，從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離，電信號(hào)傳輸具有單向性等特點(diǎn)，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。又由于光耦合器的輸入端是電流型工作的低阻元件，因而具有很強(qiáng)的共模抑制能力。光耦合器會(huì)占用很大的空間，傳輸頻率也相當(dāng)有限(最多僅數(shù)十個(gè)Mbps)。更糟的是，光耦合器的效能還會(huì)隨著環(huán)境溫度的增加而下降。隨著系統(tǒng)溫度升高，光耦合器的驅(qū)動(dòng)電流需求在許多情形下會(huì)增加一倍，這是因?yàn)殡娏鱾魉捅?CTR，代表輸入信號(hào)傳送到輸出端的比值)會(huì)隨著溫度從25℃升高至100℃而減少六成。這會(huì)增加光耦合器驅(qū)動(dòng)電流和系統(tǒng)散熱需求。

　　2. iCoupler隔離器

　　iCoupler技術(shù)基于芯片級(jí)變壓器，采用晶圓級(jí)工藝直接在片上制作變壓器。iCoupler變壓器采用平面結(jié)構(gòu)，在晶圓鈍化層上使用CMOS金屬和金構(gòu)成。金層下有一個(gè)高擊穿的聚酰亞胺層，將頂部的變壓器線圈與底部的線圈隔離開來。連接頂部線圈和底部線圈的CMOS電路為每個(gè)變壓器及其外部信號(hào)之間提供接口。使用傳送到給定變壓器初級(jí)端的1 ns脈沖對(duì)輸入邏輯跳變進(jìn)行編碼。這些脈沖從變壓器初級(jí)線圈耦合到次級(jí)線圈，并且由次級(jí)端電路檢測(cè)。然后，該電路在輸出端重新恢復(fù)成輸入數(shù)字信號(hào)。此外，輸入端還包含一個(gè)刷新電路，保證即使在沒有輸入跳變的情況下輸出狀態(tài)也與輸入狀態(tài)保持匹配。

　　3. GMR隔離器

　　GMR高速數(shù)字隔離器件是采用GMR巨磁電阻技術(shù)集成的高速CMOS器件。巨磁電阻（GMR）效應(yīng)來自于載流電子的不同自旋狀態(tài)與磁場(chǎng)的作用不同，因而導(dǎo)致的電阻值的變化。這種效應(yīng)只有在納米尺度的薄膜結(jié)構(gòu)中才能觀測(cè)出來。在GMR隔離器中，輸入端信號(hào)在低電感線圈感應(yīng)電流，產(chǎn)生正比的磁場(chǎng)�？偟拇艌�(chǎng)改變GMR的電阻，通過CMOS