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圖像傳感器CMOS與CCD技術(shù)性能對比

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):105
核心提示:

  目前,市場上應(yīng)用的固體圖像傳感器主要有CCD與CMOS兩種。本文從技術(shù)性能的角度將兩者作比較。

  固體圖像傳感器(也稱固體光電成像器件)有CCD與CMOS兩種。CCD是“電荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的簡稱,而CMOS是“互補金屬氧化物半導(dǎo)體”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的簡稱。CCD是1970年美國貝爾實驗室的W·B·Boyle和G·E·Smith等人發(fā)明的,從而揭開了電荷傳輸器件的序幕。此后,人們利用這一技術(shù)制造了攝像機與數(shù)碼相機,將圖像處理行業(yè)推進到一個全新領(lǐng)域。CCD是一種用于捕捉圖像的感光半導(dǎo)體芯片,廣泛運用于掃描儀、復(fù)印機、攝像機及無膠片相機等設(shè)備。作為相機,與膠卷的原理相似,光學(xué)圖像(即實際場景)穿過鏡頭投射到CCD上。但與膠卷不同的是CCD沒有“曝光”能力,也沒有能力記錄和存貯圖像數(shù)據(jù),而是將圖像數(shù)據(jù)不停留地送入一個A/D轉(zhuǎn)換器、信號處理器與存貯設(shè)備,但可重復(fù)拍攝和即時調(diào)整,其影像可無限次復(fù)制而不降低質(zhì)量,也方便永久保存。

  CMOS本來是計算機系統(tǒng)內(nèi)的一種重要芯片,它可保存系統(tǒng)引導(dǎo)所需的大量資料。在20世紀(jì)70年代初,有人發(fā)現(xiàn),將CMOS引入半導(dǎo)體光敏二極管后也可作為一種感光傳感器,但在分辨率、噪聲、功耗和成像質(zhì)量等方面都比當(dāng)時的CCD差,因而未獲得發(fā)展。隨著CMOS工藝技術(shù)的發(fā)展,采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝能生產(chǎn)高質(zhì)量、低成本的CMOS成像器件。這種器件便于大規(guī)模生產(chǎn)、其功耗低與成本低廉的特性都是商家們夢寐以求的。如今,CCD與CMOS兩者共存,CCD暫時還是“主流”,但CMOS將取代CCD而成為圖像傳感器的主流。

  信息讀取方式的對比

  CCD光電成像器件存貯的電荷信息,需要在二相或三相或四相時鐘驅(qū)動脈沖的控制下,一位一位地實施轉(zhuǎn)移后逐行順序讀取。

  而CMOS光電成像器件的光學(xué)圖像信息經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后產(chǎn)生電流或電壓信號,這個電信號不需要像CCD那樣逐行讀取,而是從CMOS晶體管開關(guān)陣列中直接讀取的,可增加取像的靈活性。而CCD絕無此功能。

  速度的對比

  由上知,CCD成像器件需在二、三、四相時鐘驅(qū)動脈沖的控制下,以行為單位一位一位地輸出信息,所以速度較慢。

  而CMOS成像器件在采集光電圖像信號的同時就可取出電信號,它并能同時處理各單元的圖像信息,所以速度比CCD成像器件快得多。由于CMOS成像器件的行、列電極可以被高速地驅(qū)動,再加上在同一芯片上做A/D轉(zhuǎn)換,圖像信號能快速地取出,因此它可在相當(dāng)高的幀速下動作。如有些設(shè)計用來做機器視覺的CMOS,聲稱可以高達(dá)每秒1000個畫面的幀速。

  電源及耗電量的對比

  由于CCD的像素由MOS電容構(gòu)成,讀取電荷信號時需使用電壓相當(dāng)大(至少12V)的二相或三相或四相時序脈沖信號,才能有效地傳輸電荷。因此CCD的取像系統(tǒng)除了要有多個電源外,其外設(shè)電路也會消耗相當(dāng)大的功率。有的CCD取像系統(tǒng)需消耗2~5W的功率。

  而CMOS光電成像器件只需使用一個單電源5V或3V,耗電量非常小,僅為CCD的1/8~1/10,有的CMOS取像系統(tǒng)只消耗20~50mW的功率。

  成像質(zhì)量的對比

  CCD成像器件制作技術(shù)起步早,技術(shù)成熟,采用PN結(jié)或二氧化硅(sio2)隔離層隔離噪聲,所以噪聲低,成像質(zhì)量好。

  與CCD相比,CMOS的主要缺點是噪聲高及靈敏度低,因為CMOS成像器件集成度高,各光電元件、電路之間距離很近,相互之間的光、電、磁干擾嚴(yán)重,噪聲對圖像質(zhì)量影響很大,開始很長一段時間無法進入實用。后來,噪聲的問題用有源像素(Active Pixel)設(shè)計及噪聲補正線路加以降低。近年,隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷進展,為生產(chǎn)高密度優(yōu)質(zhì)的CMOS成像器件提供了良好的條件。已有廠商聲稱,所開發(fā)出的技術(shù),成像質(zhì)量已不比CCD差。

  CMOS成像器件的靈敏度低,是因為像素部分面積被用來制作工博士工業(yè)品商城聲明:凡資訊來源注明為其他媒體來源的信息,均為轉(zhuǎn)載自其他媒體,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,也不代表本網(wǎng)站對其真實性負(fù)責(zé)。您若對該文章內(nèi)容有任何疑問或質(zhì)疑,請立即與商城(www.podvhdv.cn)聯(lián)系,本網(wǎng)站將迅速給您回應(yīng)并做處理。
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