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交流接觸器吸合過程的采集系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):107
核心提示:

  1 引言
 
  交流接觸器是一種量大、面廣的低壓電器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)和控制系統(tǒng),因此提高其質(zhì)量與可靠性至關(guān)重要!接觸器的合閘力及分閘力除彈簧外還有電磁鐵吸力,合閘時(shí)電磁鐵的吸力與合閘相角有關(guān),是隨機(jī)的;分閘時(shí)電磁鐵吸力與激磁電流相角有關(guān),也是隨機(jī)的。在觸點(diǎn)接通的瞬間因機(jī)械原因產(chǎn)生一些彈跳,而因彈跳產(chǎn)生瞬間多次分合,導(dǎo)致接觸器實(shí)際工作情況惡劣。對(duì)控制電容器的專用接觸器,由于接通時(shí)觸頭運(yùn)動(dòng)速度的隨機(jī)性造成不同相觸頭接觸時(shí)間差的隨機(jī)性,導(dǎo)致無法控制接通電容器的沖擊電流大小,所以對(duì)這種接觸器在吸合時(shí)間一致性方面要求更為嚴(yán)格!z測接觸器觸頭分合過程時(shí)通常采用步進(jìn)電機(jī)來推動(dòng)觸頭動(dòng)作,觸頭的整個(gè)分合過程是靠步進(jìn)電機(jī)的推動(dòng)來完成;觸頭從分到合的位移也是靠對(duì)步進(jìn)電機(jī)的步進(jìn)脈沖計(jì)數(shù)得到的。這種檢測屬于靜態(tài)檢測,無法真實(shí)反應(yīng)接觸器的整個(gè)吸合過程,更無法檢測觸頭在實(shí)際工作時(shí)的彈跳變化及各個(gè)觸頭的實(shí)際吸和時(shí)間差。為了保證接觸器的工作可靠性,有必要開發(fā)一種記錄接觸器實(shí)際工作時(shí)的觸頭吸合釋放過程的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),以此來評(píng)價(jià)接觸器的性能。

  2 系統(tǒng)硬件及工作原理 

  為了實(shí)現(xiàn)對(duì)高速瞬變信號(hào)的采樣以便于分辨交流接觸器觸點(diǎn)接通時(shí)的彈跳過程及觸頭的接通順序,在原有基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一種基于PC機(jī)ISA總線、同步時(shí)鐘、用硬件電路實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)同步采集、高速尋址以及實(shí)時(shí)存儲(chǔ)的技術(shù)方案。該方案主要由四部分組成:PC機(jī)總線接口電路、高速數(shù)字信號(hào)采集存儲(chǔ)電路、I/O接口電路、接觸器供電回路。其硬件系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

  2.1 PC機(jī)總線接口電路 

  本系統(tǒng)采用研華的工業(yè)控制計(jì)算機(jī),利用其ISA(Industry Standard Architecture,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu))總線對(duì)外部尋址。ISA總線采用8位模式,它的最大數(shù)據(jù)傳輸率為8MBps,便于與外部硬件接口,其性能足夠滿足數(shù)據(jù)采集設(shè)備的要求,而且技術(shù)成熟、便于開發(fā)。ISA總線共分五類:地址線、數(shù)據(jù)線、控制線、輔助與電源線。前256個(gè)I/O端口地址(0x00H- 0xFFH)既可以被固定I/O指令,也可以被可變I/O指令訪問,但處于0x0100H-0xFFFFH的任何I/O地址都只能被可變I/O地址訪問。在PC機(jī)中,所有的16位地址總線被譯為在0x0000H-0x03XXH中的地址用于ISA總線的PC機(jī)內(nèi)部I/O地址。 PC機(jī)的ISA總線經(jīng)過了總線收發(fā)及地址譯碼電路,提供給數(shù)據(jù)采集設(shè)備的尋址范圍為0x300H—0x31BH。PC機(jī)總線接口電路如圖2所示,當(dāng)PC 機(jī)要訪問某一地址時(shí),由兩片GAL16V8譯碼讀寫、使能信號(hào),選通總線收發(fā)器74HC245以流通8位數(shù)據(jù)位。

[$page]  2.2 高速數(shù)字信號(hào)采集存儲(chǔ)電路 

  高速數(shù)字信號(hào)采集存儲(chǔ)電路的原理如圖3所示,它由數(shù)據(jù)收發(fā)及控制電路、頻率發(fā)生器、地址發(fā)生器、數(shù)據(jù)讀寫信號(hào)譯碼、采樣邏輯切換、地址鎖存、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、存儲(chǔ)采樣數(shù)據(jù)邏輯切換等幾部分組成。主要技術(shù)指標(biāo)有:16通道數(shù)字信號(hào)采集、采樣率625KHz、存儲(chǔ)深度64Ksa/CH、最大采樣點(diǎn)數(shù)65536、最大采樣存儲(chǔ)時(shí)間100ms。 數(shù)據(jù)收發(fā)及控制電路由總線收發(fā)器、GAL譯碼器和并行接口芯片8255組成,完成SRAM中的數(shù)據(jù)讀取及電路控制功能。 頻率發(fā)生器由晶振、可予制四位二進(jìn)制異步清除計(jì)數(shù)器74HC161組成,采樣率由計(jì)數(shù)器74HC16將10MHz振蕩源16倍頻后得到,即系統(tǒng)采樣頻率為625KHz。它的輸出由采樣邏輯切換電路控制,輸出時(shí)鐘分別送往地址發(fā)生器、數(shù)據(jù)讀寫信號(hào)譯碼器!16位地址發(fā)生器由4片74HC161級(jí)聯(lián)成16位同步記數(shù)器產(chǎn)生,記數(shù)器每接收一個(gè)脈沖產(chǎn)生一個(gè)地址。產(chǎn)生的地址送往地址鎖存電路中用于數(shù)據(jù)寫入 SRAM中的地址位,還被送往采樣邏輯切換電路中用于控制采樣存儲(chǔ)深度。

  數(shù)據(jù)讀寫信號(hào)譯碼用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片SRAM的讀寫及片選信號(hào)、存儲(chǔ)采樣數(shù)據(jù)邏輯切換電路的控制信號(hào),它由GAL16V8 譯碼得到!〔蓸舆壿嬊袚Q電路由雙D觸發(fā)器74HC74、8位數(shù)據(jù)比較器74HC688、鎖存器74HC374組成,用于控制采樣啟動(dòng)、停止。由74LS688比較器比較預(yù)設(shè)地址和地址發(fā)生器的地址位,如果比較器比較地址位相等,則輸出停止信號(hào),啟動(dòng)信號(hào)由控制雙D觸發(fā)器產(chǎn)生!〉刂锋i存電路主要是用于鎖存存儲(chǔ)器SRAM在讀和寫兩個(gè)不同的狀態(tài)下的地址。在寫SRAM時(shí)鎖存地址發(fā)生器產(chǎn)生的地址,在讀SRAM時(shí)鎖存數(shù)據(jù)收發(fā)及控制電路中8255產(chǎn)生的地址位。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)采用兩片存儲(chǔ)容量為1MB的SRAM HM628128,構(gòu)成16通道數(shù)字信號(hào)采集。SRAM的寫信號(hào)產(chǎn)生是一個(gè)難點(diǎn),圖4中給出了產(chǎn)生寫信號(hào)的時(shí)序邏輯圖,其中CLK信號(hào)為晶振源,Q1、 Q2、Q3為晶振源的4倍頻、8倍頻、16倍頻信號(hào),TC為16位地址發(fā)生器的記數(shù)脈沖,MWR為數(shù)據(jù)采樣的請(qǐng)求信號(hào),RAMWR為SRAM的寫信號(hào)。邏輯表達(dá)式為:!RAMWR = (!Q3 & Q2) & !MWR。

  存儲(chǔ)采樣數(shù)據(jù)邏輯切換電路主要完成讀寫SRAM的數(shù)據(jù)總線切換功能,在采集數(shù)據(jù)時(shí)用總線收發(fā)器切換到數(shù)據(jù)輸入端,讀取SRAM的數(shù)據(jù)時(shí)切換給數(shù)據(jù)收發(fā)及控制電路的數(shù)據(jù)總線端,以供計(jì)算機(jī)讀入存儲(chǔ)

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