Vishay推出同體封裝功率二極管的MOSFET SiA850DJ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的190V功率二極管的190V n通道功率MOSFET——SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm的較小占位面積以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封裝的SiA850DJ還是在1.8V VGS時(shí)具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。

SiA850DJ的典型應(yīng)用將包括面向高壓壓電電動(dòng)機(jī)的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機(jī)、PDA、MP3播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的有機(jī)LED(OLED)背光。

將MOSFET及功率二極管整合到同一封裝可幫助設(shè)計(jì)人員節(jié)約至少三分之一的PCB面積，同時(shí)由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在2.5V時(shí)達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值，而SiA850DJ在1.8V時(shí)便可達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進(jìn)一步節(jié)約了板面空間。該器件的導(dǎo)通電阻值范圍介于1.8V VGS時(shí)17Ω～4.5V VGS時(shí)3.8Ω，0.5A時(shí)二極管正向電壓為1.2 V。

SiA850DJ 100%無鉛(Pb)，無鹵素，并且符合RoHS規(guī)范，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。

目前，新型SiA850DJ的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。